Los efectos del campo eléctrico sobre estados de impureza hidrogenoide en hilos cuánticos de GaAs de sección transversal rectangular / Augusto León Montes Barahona
Material type: TextPublisher: Cali: Universidad del Valle, 1998Description: 83 pSubject(s): Trabajo de InvestigaciónDDC classification: T537.622 Dissertation note: Doctor en Ciencias Físicas Universidad del Valle 1998 Summary: Se calculan la energía de enlace del estado fundamenta y primeros estados excitados y la densidad de estados de una impureza donadora poco profunda en un hilo cuántico de GaAs de sección transversal rectangular, usando la aproximación de masa efectiva y un esquema variacional.Item type | Current location | Collection | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode |
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Tesis | Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T537.622 M779 (Browse shelf) | Ej. 1 | Available | L001162 |
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Doctor en Ciencias Físicas Universidad del Valle 1998 Facultad de Ciencias
Se calculan la energía de enlace del estado fundamenta y primeros estados excitados y la densidad de estados de una impureza donadora poco profunda en un hilo cuántico de GaAs de sección transversal rectangular, usando la aproximación de masa efectiva y un esquema variacional.
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