Estudio deformación de defectos y colas de banda en muestras envejecidas de GaAs:Ge y AlGaAs:Sn por medio de la técnica de fotoluminiscencia / Marianela De los Ríos Londoño
By: De los Ríos Londoño, Marianela
Material type: 
TextPublisher: Armenia : Universidad del Quindío, 2002Description: 94 p. ilSubject(s): Electrónica | Técnica de CaracterizaciónDDC classification: T621.381 Dissertation note: Universidad del Quindío 2002 Summary: Para estudiar los defectos que se presentan en muchas muestras envejecidas se analizó la zona de bajas energíuas en los espectros de fotoluminiscencia (Fl) a temperaturas desde 11K hasta temperatura ambiente en películas epitaxiales de GaAs : Ge tipo p con concentraciones de 1 x 10 16 cm-3 crecidas por epitaxiales en fase liquida (EFL) y almacenadas durantes años a temperatura ambiente.
| Item type | Current location | Collection | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Tesis
|
Laboratorio de Optoelectrónica TESIS - MONOGRAFIAS | Papel | T621.381 D362 (Browse shelf) | Ej. 1 | Available | L001077 |
Browsing Laboratorio de Optoelectrónica shelves, Shelving location: TESIS - MONOGRAFIAS, Collection: Papel Close shelf browser
Universidad del Quindío 2002 Facultad de Ingeniería Ingeniería Electrónica
Para estudiar los defectos que se presentan en muchas muestras envejecidas se analizó la zona de bajas energíuas en los espectros de fotoluminiscencia (Fl) a temperaturas desde 11K hasta temperatura ambiente en películas epitaxiales de GaAs : Ge tipo p con concentraciones de 1 x 10 16 cm-3 crecidas por epitaxiales en fase liquida (EFL) y almacenadas durantes años a temperatura ambiente.
- Place hold
- Add to your cart
-
Código QR
There are no comments on this title.